+40V供电宽带GaN功率管

CREE 的 CGHV1FXXX 系列是性能卓越的 GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)，特别为高效率，高增益和宽带性能设计的产品，可应用于 L、S、C、X、Ku 等频段。CGHV1FXXX 工作在 +40V 电压下，封装为尺寸为3mm*4mm，双面无铅 DFN 结构，可表贴安装，装配方便。需要降低功耗的情况下，晶体管可以最低在 +20V 电压下工作，同时保证高增益和高效率。

应用领域：
– L、S、C、Ku 宽带放大器
– A类、AB类放大器，适用于 OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA 波形
– 蜂窝基础设施