芯片衰減器

最高250瓦，最高18 GHz
APITech Inmet 的 Powerfilm ™ 芯片衰減器分為兩個品種：“溫度穩定”（標準）和“溫度可變”衰減器。標準衰減器在所有溫度下均等地降低 RF 功率，而溫度可變芯片設計為在高溫下降低其衰減，以提供信號調平應用所需的最佳響應。片狀衰減器用於放大器電路，接收器，上/下轉換器，相位匹配陣列和開關應用。根據所需的規格，可在帶有薄或厚電阻的 BeO，氮化鋁或氧化鋁陶瓷上制造芯片。

代理品牌：APITech

可用的芯片衰減器

模型	功率（瓦）	頻率（GHz）	陶瓷基板	電阻膜	包裝選項	完成選項	寬度（英寸）	長度（英寸）	高度（英寸）
1KNA250	250	1	AlN	Thin & Thick	G，Tabbed	N，T，H	0.375	0.375	0.040
2KNA100	100	2.3	AlN	Thin & Thick	G，Tabbed	N，T，H	0.350	0.225	0.040
2KNA150	150	1.9	AlN	Thin & Thick	G，Tabbed	N，T，H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	AlN	Thin & Thick	G，Tabbed	N，T，H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	AlN	Thin	G，Tabbed	N，T，H	0.375	0.250	0.040
KPA10	10	4	O	Thin	G	N，T，H	0.100	0.200	0.040
KPA100	100	0.5	O	Thin	G	N，T，H	0.500	0.500	0.40
KPA20	20	4	O	Thin	G	N，T，H	0.250	0.250	0.040
KPA50	50	1	O	Thin	G	N，T，H	0.375	0.375	0.040
PCA	1.5	12.4	Alumina	Thin		N，T，H，G	0.125	0.150	0.010
PCAA	0.75	18	Alumina	Thin		N，T，H，G	0.060	0.075	0.010
PCAAF	0.75	8	Alumina	Thin	F	N，T，H，G	0.060	0.075	0.010
PCAAL	0.75	18	Alumina	Thin	Tabbed	G，T，H	0.060	0.075	0.040
PCAAW	0.75	18	Alumina	Thin	w	N，T，H，G	0.060	0.075	0.010
PCAF	1.5	4	Alumina	Thin	F	N，T，H，G	0.125	0.150	0.010
PCAL	1.5	12.4	Alumina	Thin	Tabbed	G，T，H	0.125	0.150	0.040
PCAW	1.5	12.4	Alumina	Thin	w	N，T，H，G	0.125	0.150	0.010
TPA100	100	0.4	O	Thin	G	N，T，H	0.500	0.500	0.040

完成選項：N-鎳上的銀，T-錫鉛焊料，H-無鉛焊料，G-金

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